參數(shù)資料
型號(hào)： IRS21531DPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (44); Status:   Remarks:  
中文描述： 自激式半橋驅(qū)動(dòng)器集成電路
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大?。?/td> 345K
代理商： IRS21531DPBF
5
IRS2153(1)D
Electrical Characteristics
V
BIAS
(V
CC
, V
BS)
= 14 V, C
T
= 1 nF, V
S
=0 V and T
A
= 25 °C unless otherwise specified. The output voltage and current (V
O
and I
O
)
parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO. CLO = CHO = 1 nF.
Symbol
Definition
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions
Gate Driver Output Characteristics
V
OH
High-level output voltage
---
V
CC
---
V
OL
Low-level output voltage
---
COM
---
I
O
= 0 A
V
OL_UV
UV-mode output voltage
---
COM
---
V
I
O
= 0 A,
V
CC
≤
V
CCUV-
t
r
Output rise time
---
120
220
t
f
Output fall time
---
50
80
t
sd
Shutdown propagation delay
---
350
---
ns
t
d
Output deadtime (HO or LO) (IRS2153D)
0.65
1.1
1.75
μ
s
t
d
I
O+
I
O-
Output deadtime (HO or LO) (IRS21531D)
0.35
0.6
0.85
μ
s
Output source current
---
180
---
Output sink current
---
260
---
mA
Bootstrap FET Characteristics
V
B_ON
I
B_CAP
I
B_10V
V
B
when the bootstrap FET is on
V
B
source current when FET is on
V
B
source current when FET is on
---
13.7
---
V
40
55
---
C
BS
=0.1 uF
10
12
---
mA
V
B
=10 V
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PDF描述
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