參數(shù)資料
型號： IRS21271SPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:  
中文描述： 電流傳感單通道驅(qū)動
文件頁數(shù)： 20/21頁
文件大?。?/td> 372K
代理商： IRS21271SPBF
IRS212(7, 71, 8, 81)(S)PbF
www.irf.com
20
CA R RIE R TA P E D IM E NS IO N FO R 8 S O ICN
M etric
Co d e
A
B
C
D
E
F
G
H
M in
7 .90
3 .90
11 .70
5 .45
6 .30
5 .10
1 .50
1 .50
M ax
8.1 0
4.1 0
1 2.30
5.5 5
6.5 0
5.3 0
n/a
1.6 0
M in
0.31 1
0.15 3
0 .4 6
0.21 4
0.24 8
0.20 0
0.05 9
0.05 9
M ax
0 .3 18
0 .1 61
0 .4 84
0 .2 18
0 .2 55
0 .2 08
n/a
0 .0 62
Im p erial
RE E L D IM ENS ION S FOR 8 SO IC N
Co d e
A
B
C
D
E
F
G
H
M in
32 9.60
20 .95
12 .80
1 .95
98 .00
n /a
14 .50
12 .40
M ax
3 30 .25
2 1.45
1 3.20
2.4 5
1 02 .00
1 8.40
1 7.10
1 4.40
M in
1 2 .9 76
0.82 4
0.50 3
0.76 7
3.85 8
n /a
0.57 0
0.48 8
M ax
13 .0 01
0 .8 44
0 .5 19
0 .0 96
4 .0 15
0 .7 24
0 .6 73
0 .5 66
M etric
Im p erial
E
F
A
C
D
G
B
H
NOTE : CONTROLLING
DIMENSION IN MM
LOADED TAPE FEED DIRECTION
A
H
F
E
G
D
B
C
Tape & Reel
8-lead SOIC
相關PDF資料
PDF描述
IRS2127PbF CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER
IRS2127SPbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:  
IRS21281PbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
IRS21281SPbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
IRS2128PbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 8; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (36); Status:   Remarks:  
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRS21271STRPBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS2127PBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS2127SPBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS2127STRPBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS21281PBF 功能描述:功率驅(qū)動器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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