參數資料
型號： IRS2103PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HALF-BRIDGE DRIVER
中文描述： 半橋驅動器
文件頁數： 3/14頁
文件大?。?/td> 338K
代理商： IRS2103PBF
IRS2103(S)PbF
www.irf.com
3
Symbol
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
IN+
I
IN-
Definition
Min.
2.5
Typ. Max. Units Test Conditions
—
—
Logic “1” (HIN) & Logic “0” (
LIN
) input voltage
Logic “0” (HIN) & Logic “1” (
LIN
) input voltage
—
—
0.8
High level output voltage, V
BIAS
- V
O
Low level output voltage, V
O
Offset supply leakage current
—
0.05
0.2
—
0.02
0.1
—
—
50
V
B
= V
S
= 600 V
Quiescent V
BS
supply current
Quiescent V
CC
supply current
Logic “1” input bias current
—
30
55
—
150
270
—
3
10
HIN = 5 V,
LIN
= 0 V
Logic “0” input bias current
—
—
1
HIN = 0 V,
LIN
= 5 V
V
CCUV+
V
CC
supply undervoltage positive going
threshold
V
CC
supply undervoltage negative going
threshold
8
8.9
9.8
V
CCUV-
7.4
8.2
9
I
O+
Output high short circuit pulsed current
130
290
—
V
O
= 0 V, V
IN
= V
IH
PW
≤
10
μ
s
V
O
= 15 V, V
IN
= V
IL
PW
≤
10
μ
s
I
O-
Output low short circuit pulsed current
270
600
—
Symbol
ton
toff
tr
tf
Definition
Min.
—
Typ. Max. Units Test Conditions
680
820
Turn-on propagation delay
V
S
= 0 V
V
S
= 600 V
Turn-off propagation delay
—
150
220
Turn-on rise time
—
70
170
Turn-off fall time
—
35
90
DT
Deadtime, LS turn-off to HS turn-on &
HS turn-on to LS turn-off
400
520
650
MT
Delay matching, HS & LS turn-on/off
—
—
60
Static Electrical Characteristics
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15 V and T
A
= 25
°
C unless otherwise specified. The V
IN
, V
TH,
and I
IN
parameters are referenced to
COM. The V
O
and I
O
parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.
Dynamic Electrical Characteristics
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
) = 15 V, C
L
= 1000 pF and T
A
= 25
°
C unless otherwise specified.
V
ns
V
mA
μ
A
V
CC
= 10 V to 20 V
I
O
= 2 mA
V
IN
= 0 V or 5 V
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PDF描述
IRS2103SPBF HALF-BRIDGE DRIVER
IRS2103STRPBF HALF-BRIDGE DRIVER
IRS2117PBF SINGLE CHANNEL DRIVER
IRS2118PbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 8; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (36); Status:   Remarks:  
IRS2118SPbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (44); Status:   Remarks:  
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參數描述
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