參數(shù)資料
型號(hào)： IRLZ44ZLPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A)
中文描述： 汽車MOSFET的（減振鋼板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 1350ヘ，身份證\u003d 51A條）
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大小： 366K
代理商： IRLZ44ZLPBF
2
www.irf.com
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
55
–––
–––
–––
–––
1.0
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.05
–––
11
13.5
–––
20
–––
22.5
–––
3.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
24
36
7.5
–––
12
–––
14
–––
160
–––
25
–––
42
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
m
m
V
V
μA
V
GS(th)
gfs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
nH
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V, = 1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1620
230
130
860
180
280
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
51
A
–––
–––
204
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
21
16
1.3
32
24
V
ns
nC
Conditions
V
GS
= 5.0V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 31A, V
DD
= 28V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 31A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 30A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 15A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 31A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 44V
V
GS
= 5.0V
V
DD
= 50V
I
D
= 31A
R
G
= 7.5
I
D
= 31A
V
DS
= 44V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLZ44ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A)
IRLZ44ZSPBF AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A)
IRLZ44Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRLZ44ZL AUTOMOTIVE MOSFET
IRLZ44ZS AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLZ44ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 24nC 13.5mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLZ44ZPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Logic Level, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance
IRLZ44ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLZ44ZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Bulk
IRLZ44ZSPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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