參數(shù)資料
型號: IRLZ24NLPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大?。?/td> 314K
代理商: IRLZ24NLPBF
8
www.irf.com
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
F530S
LOT CODE 8024
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
F530S
A = ASSEMBLY SITE CODE
WEEK 02
P = DESIGNATES LEAD-FREE
YEAPRODUCT (OPTIONAL)
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
LOT CODE
ASSEMBLY
DATE CODE
PART NUMBER
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PDF描述
IRLZ24NSPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRLZ24NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLZ24NS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLZ24NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN D2PAK - Bulk
IRLZ24NSPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLZ24NSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes