參數(shù)資料
型號: IRLU7833PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 30V的,的RDS(on)最大值\u003d 4.5米ヘ,Qg和\u003d 33nC)
文件頁數(shù): 6/12頁
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代理商: IRLU7833PBF
6
www.irf.com
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
Fig 14a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 14b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
2500
5000
7500
10000
12500
15000
EA
ID
TOP 8.2A
14A
BOTTOM20A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRLU7843 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLU7843-701PBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 161A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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