參數(shù)資料
型號(hào)： IRLU7833
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 188K
代理商： IRLU7833
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
10
20
30
40
50
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VG
VDS= 24V
VDS= 15V
ID= 12A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR7843PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU7843PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR7843 HEXFET Power MOSFET
IRLU7843 HEXFET Power MOSFET
IRLR8103V N-Channel Application-Specific MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLU7833-701PBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A IPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU7833PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 4.5mOhm 38nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU7833TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 140A, 4.5 mOhm, 38 nC Qg, Logic Level, I-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU7833TRR701P 功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 140A, 4.5 mOhm, 38 nC Qg, Logic Level, IPAK-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU7843 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*