參數(shù)資料
型號(hào)： IRLU3715PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開(kāi)關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 279K
代理商： IRLU3715PBF
IRLR/U3715PbF
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 21A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 21A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 21A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 21A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.9
0.8
37
28
38
30
1.3
–––
56
42
57
45
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
110
21
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
54
210
Min. Typ. Max. Units
26
–––
–––
11
–––
3.8
–––
4.4
–––
11
–––
6.4
–––
73
–––
12
–––
5.1
–––
1060 –––
–––
700
–––
120
Conditions
V
DS
= 10V, I
D
= 21A
–––
17 I
D
= 21A
–––
nC
–––
17
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 10V
I
D
= 21A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
–––
–––
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.022 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
11
15
–––
–––
–––
–––
–––
14
20
3.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 26A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 21A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
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PDF描述
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