參數(shù)資料
型號： IRLU3410PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： Asynchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 8; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (36); Status:   Remarks:  
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 294K
代理商： IRLU3410PBF
IRLR/U3410PbF
www.irf.com
3
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
VGS
2.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
VGS
2.5V
0.1
1
10
100
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
V = 50V
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 10V
A
I = 15A
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PDF描述
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