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參數(shù)資料
| 型號： | IRLR7833PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的RDS（on）最大值\u003d 4.5米ヘ，Qg和\u003d 33nC） |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 328K |
| 代理商： | IRLR7833PBF |
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU7833PBF | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 4.5mヘ , Qg = 33nC ) |
| IRLR7833 | Power MOSFET |
| IRLU7833 | Power MOSFET |
| IRLR7843PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU7843PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLR7833PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:140W |
| IRLR7833TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLR7833TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR7833TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLR7833TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 4.5mOhm 38nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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