參數(shù)資料
型號: IRLR7833
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET
中文描述: 功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大?。?/td> 188K
代理商: IRLR7833
6
www.irf.com
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
Fig 14a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 14b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
2500
5000
7500
10000
12500
15000
EA
ID
TOP 8.2A
14A
BOTTOM20A
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PDF描述
IRLU7833 Power MOSFET
IRLR7843PBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLR7833PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 38nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube