參數(shù)資料
型號： IRLR7821TRRPBF
元件分類： JFETs
英文描述： 65 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： LEAD FREE, IPAK-3
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 320K
代理商： IRLR7821TRRPBF
IRLR/U7821PbF
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
,C
ap
ac
ita
nc
e(
pF
)
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs+ Cgd, CdsSHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds+ Cgd
Coss
Crss
Ciss
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
,Source-to-Drain Voltage (V)
I
,
R
ev
ers
eD
rai
nC
urrent
(A)
SD
V
= 0 V
GS
T = 175
C
J
°
T = 25
C
J
°
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100sec
02
46
8
10
12
QG Total Gate Charge (nC)
0
1
2
3
4
5
6
V
G
S
,G
at
e-
to
-S
ou
rc
e
V
ol
ta
ge
(V
)
VDS= 24V
VDS= 16V
ID= 12A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU024NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU4343PBF 26 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRU1117CS 800mA LOW DROPOUT POSITIVE ADJUSTABLE REGULATOR
IS28F002BVT-80TI 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO40
IS28F020-12PLI 256K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLR7833CPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRLR7833HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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