參數(shù)資料
型號： IRLR7821
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/11頁
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代理商： IRLR7821
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 175 C
T = 25 C
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0
2
4
6
8
10
12
QG Total Gate Charge (nC)
0
1
2
3
4
5
6
VG
VDS= 24V
VDS= 16V
ID= 12A
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PDF描述
IRLU7821 HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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