參數(shù)資料
型號: IRLR3715ZCPBFTRL
元件分類: JFETs
英文描述: 49 A, 20 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝: LEAD FREE, DPAK-3
文件頁數(shù): 2/12頁
文件大?。?/td> 297K
代理商: IRLR3715ZCPBFTRL
IRLR/U3715ZCPbF
10
www.irf.com
I-Pak (TO-251AA) Part Marking Information
I-Pak (TO-251AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
GDI@6
GPBP
DIU@SI6UDPI6G
S@8UDAD@S
25
QSP9V8UPQUDPI6G
Q29@TDBI6U@TG@69AS@@
626TT@H7G`TDU@8P9@
,5)8
$
96U@8P9@
Q6SUIVH7@S
GPU8P9@
6TT@H7G`
`@6S 2!
X@@F (
vqvphrGrhqArr
6TT@H7G@9PIXX (!
DIUC@6TT@H7G`GDI@6
Ir)Qvhriyyvrvv
@Y6HQG@)
XDUC6TT@H7G`
UCDTDT6IDSAV !
GPU8P9@$%&'
S@8UDAD@S
DIU@SI6UDPI6G
GPBP
6TT@H7G`
GPU8P9@
,5)8
Q6SUIVH7@S
X@@F (
96U@8P9@
`@6S 2!
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR3715ZCPBFTR 49 A, 20 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
IRLU024PBF 14 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRM-2638S18 LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
IRM-3638N3F6 LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
IRM-3638 LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR3715ZCTRLP 功能描述:MOSFET MOSFET, 20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, Logic Level, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3715ZCTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFET, 20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, Logic Level, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3715ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 49A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 49A 3PIN DPAK - Bulk
IRLR3715ZPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 7.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLR3715ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 49A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件