參數(shù)資料
型號： IRLML6402TR
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 81K
代理商： IRLML6402TR
IRLML6402
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-7.00V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-2.25V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
-3.50V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-2.25V
10
100
2.0
3.0
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
-
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-4.5V
-3.7A
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