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參數(shù)資料
| 型號： | IRLIB9343 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DIGITAL AUDIO MOSFET |
| 中文描述： | 數(shù)字音頻MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRLIB9343 |
4
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
-S
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
-G
ID = -250μA
25
50
75
100
125
150
175
TJ , Junction Temperature (°C)
0
4
8
12
16
-D
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.8737 0.000799
0.877 0.068578
2.089 2.593
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
1
10
100
1000
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
-D
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLIZ14G | POWER MOSFET |
| IRLIZ24N | HEXFET Power MOSFET |
| IRLIZ34G | POWER MOSFET |
| IRLIZ34N | Power MOSFET |
| IRLIZ44G | HEXFET POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLIB9343PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 105mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLIZ14A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262AA |
| IRLIZ14G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLIZ14G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLIZ14GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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