型號: | IRL540NS |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET Power MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 7/10頁 |
文件大小: | 182K |
代理商: | IRL540NS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRL540N | HEXFET Power MOSFET |
IRL540S | HEXFET POWER MOSFET |
IRL5602S | HEXFET Power MOSFET |
IRL7NJ3802 | HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
IRLD024 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRL540NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
IRL540NSPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 49.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRL540NSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRL540NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 36A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
IRL540NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |