參數(shù)資料
型號: IRL3803S
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 30V的,的Rds(on)\u003d 0.006ohm,身份證\u003d律目140A)
文件頁數(shù): 10/10頁
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代理商: IRL3803S
相關PDF資料
PDF描述
IRL3803 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A)
IRL510S RES 39R 1/10W 5% 0805 TF
IRL540NL HEXFET Power MOSFET
IRL540NS HEXFET Power MOSFET
IRL540N HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRL3803SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL3803SPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL3803STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3803STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL3803STRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件