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參數(shù)資料
| 型號： | IRL2703 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 277K |
| 代理商： | IRL2703 |
IRL2703
Package Outline
TO-220AB Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-220AB
Part Marking Information
L E AD A S S IG N M E N T S
1 - G A T E
2 - D R AIN
3 - S O U R C E
4 - D R AIN
- B -
1 .3 2 (.0 52 )
1 .2 2 (.0 48 )
3X
0.5 5 (.02 2)
0.4 6 (.01 8)
2 .9 2 (.11 5 )
2 .6 4 (.10 4 )
4 .69 (.1 85 )
3X
0 .93 (.0 37 )
0 .69 (.0 27 )
4.0 6 (.16 0)
1.15 (.0 4 5)
M IN
6.4 7 (.25 5)
6.1 0 (.24 0)
3.78 (.14 9)
3.54 (.13 9)
- A -
1 0.5 4 (.41 5)
1 0.2 9 (.40 5)
2 .87 (.1 13 )
1 5.24 (.6 0 0)
1 4.09 (.5 5 5)
1 3.47 (.5 3 0)
3 X
1 .4 0 (.05 5 )
1 .1 5 (.04 5 )
2 .54 (.1 00 )
2X
0 .3 6 (.01 4) M B A M
4
1 2 3
N O T E S :
1 D IM E N S IO N IN G & T O L ER AN C IN G P ER A N S I Y 14 .5 M , 1 98 2. 3 O U T L IN E C O N F O R M S T O JE D E C OU T LIN E T O -2 20 -A B .
2 C O N T R OL LIN G D IM E N S IO N : IN C H 4 H EA T S IN K & L E AD M EA S U R E M E N T S D O N O T IN C L U D E BU R R S .
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W)
YY = YEAR
W W = W EEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikeburo 3-Chome, Toshima-Ki, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3803L | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A) |
| IRL3803S | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A) |
| IRL3803 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=140A) |
| IRL510S | RES 39R 1/10W 5% 0805 TF |
| IRL540NL | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRL2703HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRL2703PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 24A 400mOhm 10nC LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL2703S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRL2703SPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL2703STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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