參數(shù)資料
型號(hào)： IRL1004
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： IRL1004
IRL1004
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
30
60
90
120
150
180
0
2
4
6
8
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
78 A
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175 C
= 25°
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
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PDF描述
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