參數(shù)資料
型號： IRKT91/06S90
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： 210 A, 600 V, SCR, TO-240AA
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： IRKT91/06S90
IRK.71, .91 Series
3
Bulletin I27132 rev. D 09/97
www.irf.com
I
RRM
Max. peak reverse and
I
DRM
off-state leakage current
at V
RRM, VDRM
2500
(1 min)
50 Hz, circuit to base, all terminals
3500
(1 sec)
shorted
dv/dt Max. critical rate of rise
T
J
= 125oC, linear to 0.67 V
DRM
,
of off-state voltage (5)
gate open circuit
T
J
Junction operating
temperature range
T
stg
Storage temp. range
- 40 to 125
R
thJC
Max. internal thermal
resistance, junction
0.165
0.135
Per module, DC operation
to case
R
thCS
Typical thermal resistance
case to heatsink
T
Mounting torque ± 10%
to heatsink
busbar
3
wt
Approximate weight
83 (3)
g (oz)
Case style
TO-240AA
JEDEC
15
mA
T
J
= 125 oC, gate open circuit
Thermal and Mechanical Specifications
500
V/
s
Parameters
IRK.71
IRK.91
Units
Conditions
- 40 to 125
0.1
5
Triggering
Blocking
(5) Available with dv/dt = 1000V/
s, to complete code add S90 i.e. IRKT91/16 S90.
A mounting compound is recommended
and the torque should be rechecked after
a period of 3 hours to allow for the
spread of the compound
K/W
Nm
Mounting surface flat, smooth and greased.
Flatness <0.03 mm; roughness
< 0.02mm
V
INS
RMS isolation voltage
V
P
GM
Max. peak gate power
12
P
G(AV) Max. average gate power
3.0
I
GM
Max. peak gate current
3.0
A
-V
GM
Max. peak negative
gate voltage
V
GT
Max. gate voltage
4.0
T
J = - 40°C
required to trigger
2.5
T
J = 25°C
1.7
TJ = 125°C
I
GT
Max. gate current
270
TJ= - 40°C
required to trigger
150
mA
T
J = 25°C
80
T
J = 125°C
V
GD
Max. gate voltage
T
J = 125
oC,
that will not trigger
rated V
DRM
applied
I
GD
Max. gate current
T
J
= 125oC,
that will not trigger
rated V
DRM
applied
Parameters
IRK.71
IRK.91
Units
Conditions
0.25
V
6mA
W
V
10
Anode supply = 6V
resistive load
Anode supply = 6V
resistive load
°C
Parameters
IRK.71
IRK.91
Units
Conditions
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PDF描述
IRKT91/08S90 210 A, 800 V, SCR, TO-240AA
IRKT91/12S90 210 A, 1200 V, SCR, TO-240AA
JANTX1N4117 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JANTX1N4117C Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
JANTX1N4119 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
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IRKT92/04P 功能描述:SCR模塊 400 Volt 95 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKT92/06A 功能描述:SCR DBL 2SCR 00V 90A ADD-A-PAK RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標準包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
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