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參數(shù)資料
| 型號： | IRHY8130CM |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | IRHY8130CM |
IRHY7130CM, IRHY8130CM, JANSR-, JANSH-, 2N7380 Devices
Pre-Radiation
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
12V
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
J
TOP
BOTTOM
VGS
12V
8.0V
6.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
0.1
1
10
100
5
7
9
11
13
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
14.4A
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PDF描述 |
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