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參數(shù)資料
| 型號： | IRHNJ593034 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT |
| 中文描述： | 抗輻射功率MOSFET表面貼裝 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | IRHNJ593034 |
IRHNJ597034
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
V
GS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0
5
10
15
20
25
30
-
D
LIMITED BY PACKAGE
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