參數(shù)資料
型號： IRHN4150
廠商： International Rectifier
英文描述： RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
中文描述： 抗輻射功率MOSFET表面貼裝系統(tǒng)（SMD - 1）
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： IRHN4150
6
www.irf.com
IRHN7150, JANSR2N7268U
Pre-Irradiation
Radiation Characteristics
Fig 11.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Fig 10.
Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 12.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 13.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads (Si)
Note: Bias Conditions during radiation: V
GS
= 12 Vdc, V
DS
= 0 Vdc
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRHN7150 Female Disconnect Solderless Terminal; Wire Size (AWG):12-10; Tab Width:0.250"; Insulator Color:Yellow; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
IRHN7450 HEXFET TRANSISTOR
IRHN8450 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
IRHN8150 TRANSISTOR N-CHANNEL
IRHNA7160 TRANSISTOR N-CHANNEL
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參數(shù)描述
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IRHN450 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | SMT
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