參數(shù)資料
型號(hào)： IRHMS593260
廠商： International Rectifier
英文描述： RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
中文描述： 抗輻射功率MOSFET的通孔（低阻值到254AA）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 214K
代理商： IRHMS593260
IRHMS597260
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
15
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-12V
-32A
-D
μ
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRHMS597260 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
IRHN2C50SE TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=10.4A)
IRHN3150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
IRHN4150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
IRHN7150 Female Disconnect Solderless Terminal; Wire Size (AWG):12-10; Tab Width:0.250"; Insulator Color:Yellow; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
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