參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB6B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/15頁(yè)
文件大?。?/td> 307K
代理商： IRGB6B60KD
IRG/B/S/SL6B60KD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80μs
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 150°C; tp = 80μs
0
1
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VCE (V)
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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VCE (V)
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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1.5
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VF (V)
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10
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30
IF
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25°C
150°C
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VCE (V)
0
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4
6
8
10
12
14
16
18
20
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGSL6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRH7450SE TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A)
IRH9130 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA)
IRH93130 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA)
IRH9150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AE)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB6B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB6B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB8B60K 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220AB
IRGB8B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGBC20 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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