參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4ZH71KD
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 224K
代理商： IRG4ZH71KD
IRG4ZC71KD
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
100
Q , Total Gate Charge (nC)
200
300
400
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 60A
CC
C
0
10
R , Gate Resistance
20
30
40
50
4
6
8
10
12
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 60A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = 5.0Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
120
I = A
I = A
30
(
)
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PDF描述
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