參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC40KDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 330K
代理商： IRG4PC40KDPBF
6
www.irf.com
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
*+")
'&
!##*!
$%&&+).+
0
10
20
30
40
50
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC50FPBF Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
IRG4PC60FPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC60U-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4PC40KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC40MD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC40SD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
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