參數(shù)資料
型號: IRG4PC40FPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT
中文描述: 絕緣柵BIPOLARTRANSISTOR IGBT的速度快
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 273K
代理商: IRG4PC40FPBF
IRG4PC40FPbF
8
www.irf.com
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
06/04
EXAMPLE:
ASSEMBLED ON WW 35, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "H"
LOT CODE 5657
WITH ASSEMBLY
THIS IS AN IRFPE30
035H
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
IRFPE30
LOT CODE
ASSEMBLY
56 57
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 35
LINE H
Note:
"P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
4
33 #
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC40KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50FPBF Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50W INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRG4PC60F-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
IRG4PC60FPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC40K 功能描述:IGBT UFAST 600V 42A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PC40KD 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC40KD-206 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 42.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC40KDE206P 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4PC40KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube