參數(shù)資料
型號: IRG4BC40WPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述: ISSULATED柵雙極晶體管
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大?。?/td> 212K
代理商: IRG4BC40WPBF
www.irf.com
5
!
(+,
$, !
(+,
-$, !
-$, !
*(
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 20A
CC
C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
T
R = 10Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
40
I = A
20
I = A
10
!
10
20
R , Gate Resistance (Ohm)
30
40
50
60
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 20A
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PDF描述
IRG4PC40FPBF INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT
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參數(shù)描述
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IRG4BC40W-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC40W-STRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 40AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BE40FD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours