型號: | IRG4BC40WPBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
中文描述: | ISSULATED柵雙極晶體管 |
文件頁數(shù): | 5/9頁 |
文件大?。?/td> | 212K |
代理商: | IRG4BC40WPBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRG4PC40FPBF | INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT |
IRG4PC40KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRG4PC50FPBF | Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRG4PC50W | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A) |
IRG4PC60F-PPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRG4BC40WS | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRG4BC40W-S | 功能描述:IGBT WARP 600V 40A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BC40W-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4BC40W-STRRP | 功能描述:IGBT 模塊 600V 40AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
IRG4BE40FD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |