參數(shù)資料
型號： IRG4BC30K-SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管短Ciruit超快速IGBT的額定
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 277K
代理商： IRG4BC30K-SPBF
www.irf.com
3
"*'
#
0.1
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0.1
1
10
100
5
10
15
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
*
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
J
Tsink
Gate drive as specified
Power Dissipation = 1.8W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC30UPBF UltraFast Speed IGBT
IRG4BC40WPBF ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC40FPBF INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC40KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50FPBF Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30K-STRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 23A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC30K-STRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC30S 功能描述:IGBT STD 600V 34A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30SD 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 34.000A COPAK TO-220 / IGBT : JA /
IRG4BC30SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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