參數(shù)資料
型號： IRFZ44ZL
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 13.9mohm，身份證\u003d 51A條）
文件頁數(shù)： 3/12頁
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代理商： IRFZ44ZL
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
0
10
20
30
40
50
ID,Drain-to-Source Current (A)
0
10
20
30
40
50
60
Gf
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 10V
2
4
6
8
10
12
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.0
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 15V
≤
60μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44ZS Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
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參數(shù)描述
IRFZ44ZLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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