型號(hào): | IRFZ44V |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 60V的,的Rds(on)\u003d 16.5mw,身份證\u003d 55A條) |
文件頁數(shù): | 8/8頁 |
文件大?。?/td> | 229K |
代理商: | IRFZ44V |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFZ44Z | RES 510-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA |
IRFZ44ZL | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A) |
IRFZ44ZS | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A) |
IRFZ46NLPbF | HEXFET Power MOSFET |
IRFZ46NSPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFZ44VL | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) |
IRFZ44VLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
IRFZ44VPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 55A 16.5mOhm 44.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFZ44VS | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFZ44VSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 55A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 55A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 |