參數(shù)資料
型號(hào): IRFU9310
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d-為400V,的Rds(on)\u003d 7.0ohm,身份證\u003d- 1.8A)
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大?。?/td> 116K
代理商: IRFU9310
IRFR/U9310
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
VDD
DRIVER
A
15V
-20V
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
-0.8A
-1.1A
-1.8A
TOP
BOTTOM
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFU9N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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