參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU9220
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
中文描述： 3.6 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： IRFU9220
4-95
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT IRFU9220 2 1 3 REV 9/6/94
CA 12 8 723e-12
CB 15 14 733e-12
CIN 6 8 517e-12
DBODY 5 7 DBDMOD
DBREAK 5 11 DBKMOD
DPLCAP 10 6 DPLCAPMOD
EBREAK 7 11 17 18 -244.4
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 5 10 8 6 1
EVTO 20 6 8 18 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1e-9
LGATE 1 9 2.609e-9
LSOURCE 3 7 2.609e-9
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M=0.99
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M=0.01
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDSMOD 1.194
RGATE 9 20 2.17
RIN 6 8 1e9
RLDRAIN 2 5 10
RLGATE 1 9 26.09
RLSOURCE 3 7 26.09
RSCL1 5 51 RSCLMOD 1e-6
RSCL2 5 50 1e3
RSOURCE 8 7 RDSMOD 90.1e-3
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1A 6 12 13 8 S1AMOD
S1B 13 12 13 8 S1BMOD
S2A 6 15 14 13 S2AMOD
S2B 13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8 19 DC 1
VTO 21 6 -0.77
ESCL 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)*1e6/4.6,6))}
.MODEL DBDMOD D (IS=2.56e-14 RS=8.09e-2 TRS1=-2.45e-3 TRS2=-1.33e-5 CJO=4.21e-10 TT=1.17e-7)
.MODEL DBKMOD D (RS=5.07 TRS1=-1.05e-3 TRS2=1.28e-5)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO=170e-12 IS=1e-30 N=10)
.MODEL MOSMOD PMOS (VTO=-3.58 KP=1.38 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL RBKMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-2.73e-6)
.MODEL RDSMOD RES (TC1=6.95e-3 TC2=2.23e-5)
.MODEL RSCLMOD RES (TC1=2.40e-3 TC2=-1.5e-5)
.MODEL RVTOMOD RES (TC1=-3.27e-3 TC2=-1.33e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=5.29 VOFF=3.29)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=3.29 VOFF=5.29)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.1 VOFF=-4.9)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4.9 VOFF=0.1)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature
Options
; written by William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
1
GATE
LGATE
DBREAK
DBODY
LDRAIN
DRAIN
2
RSOURCE
LSOURCE
SOURCE
DPLCAP
10
11
7
3
RLGATE
RLDRAIN
RLSOURCE
CA
RBREAK
RVTO
VBAT
+
-
19
IT
EDS
EGS
S1A
S2A
S2B
S1B
CB
18
17
12
15
14
13
13
8
14
13
5
8
+
-
+
-
6
8
EVTO
+
RGATE
20
9
18
8
-
ESG
6
8
+
-
RIN
CIN
MOS1
MOS2
VTO
6
5
16
21
8
+
RDRAIN
ESCL
50
RSCL1
51
RSCL2
+
-
5
51
EBREAK
+
17
18
-
IRFR9220, IRFU9220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR9220 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A)
IRFU9220 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A)
IRFRU3910 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A)
IRFR3910 RECT SCHOTTKY 60V 5A POWERMITE3
IRFU3910 RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 5A 60V 100A-Ifsm 0.66Vf 0.2A-IR POWERMITE-3 5K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU9220PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9221 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-251AA
IRFU9222 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-251AA
IRFU9310 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9310PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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