參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3410PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大小： 240K
代理商： IRFU3410PBF
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.71 mW°C
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Parameter
Max.
100
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20
31
22
125
110
3.0
A
W
15
V/ns
°C
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
www.irf.com
1
12/03/04
IRFR3410PbF
IRFU3410PbF
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
39m
I
D
31A
Notes
through are on page 10
D-Pak
IRFR3410
I-Pak
IRFU3410
High frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.4
40
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU3412PBF SMPS MOSFET
IRFU3418PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU3505PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU3704PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU9024NCPBF HEXFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU3411 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package
IRFU3411PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 32A, 44 MOHM, 48 NC QG, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 32A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 32A I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 32A, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 32A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation ;RoHS Compliant: Yes
IRFU3412 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFU3412PBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3418 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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