參數資料
型號： IRFSL59N10DPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 4/11頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： IRFSL59N10DPBF
IRFB/IRFS/IRFSL59N10DPbF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
20
40
60
80
100
120
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
35.4A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
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PDF描述
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IRFU024NPBF HEXFET Power MOSFET
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