型號: | IRFS631 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-186 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五(巴西)直| 5.9AI(四)|的SOT - 186 |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 279K |
代理商: | IRFS631 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFS634 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR |
IRFS635 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-220VAR |
IRFS640A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.8A I(D) | TO-220AB |
IRFS641 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9.8A I(D) | SOT-186 |
IRFS644 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.5A I(D) | TO-220VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFS634 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR |
IRFS634A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSEFT |
IRFS634B | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFS634B_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFS634BT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |