參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS59N10DPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 11/11頁(yè)
文件大小： 236K
代理商： IRFS59N10DPBF
IRFB/IRFS/IRFSL59N10DPbF
www.irf.com
11
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
I
SD
≤
35.4A, di/dt
≤
350A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
This is applied to D
2
Pak, when mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
Starting T
J
= 25°C, L = 0.8mH
R
G
= 25
, I
AS
= 35.4A.
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
C
oss
eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C
oss
while V
DS
is rising from 0 to 80% V
DSS
This is only applied to TO-220AB package
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
06/04
Dimensions are shown in millimeters (inches)
3
4
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
11.60 (.457)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL59N10DPbF HEXFET Power MOSFET
IRFSL11N50APBF HEXFET Power MOSFET
IRFU024NPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU1010ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU120NPBF Fast Switching
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參數(shù)描述
IRFS59N10DTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFS59N10DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS59N10DTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 59A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFS59N10DTRRP 功能描述:MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS610A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advenced Power MOSFET (N-CHANNEL)
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