參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS52N15DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 349K
代理商： IRFS52N15DPBF
2
www.irf.com
IRFB52N15DPbF/IRFS52N15DPbF/IRFSL52N15DPbF
Parameter
Min. Typ. Max. Units
19
–––
––– 60 89 I
D
= 36A
–––
18
27
–––
28
42
–––
16
–––
–––
47
–––
–––
28
–––
–––
25
–––
–––
2770 –––
–––
590
–––
–––
110
–––
–––
3940 –––
–––
260
–––
–––
550
–––
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 36A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 75V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 36A
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 36A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 36A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
140
780 1170
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
1.5
210
V
nS
nC
Diode Characteristics
60
240
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.16 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
–––
–––
–––
–––
–––
32
5.0
25
250
100
-100
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 36A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Units
E
AS
I
AR
E
AR
V
DS (Avalanche)
Repetitive Avalanche Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
mJ
A
mJ
V
200
–––
–––
36
–––
–––
450
–––
–––
Max.
470
Min.
Typ.
–––
–––
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