參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS460
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12.4A I(D) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 12.4AI（四）|對(duì)247VAR
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： IRFS460
IRFB/IRFS/IRFSL41N15D
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.17 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
18
–––
–––
72
–––
21
–––
35
–––
16
–––
63
–––
25
–––
14
–––
2520 –––
–––
510
–––
110
–––
3090 –––
–––
230
–––
250
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 25A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
110 I
D
= 25A
31
nC
52
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 25A
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
–––
–––
pF
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
470
25
20
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 25A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 25A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
170
1.3
1.3
260
1.9
V
ns
μC
Diode Characteristics
41
164
A
Min. Typ. Max. Units
150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
––– 0.045
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 25A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.5
25
250
100
-100
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.75
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
°C/W
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS520 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186
IRFS521 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186
IRFS531 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | SOT-186
IRFS541 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 17A I(D) | SOT-186
IRFS614A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
IRFS4610 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS4610PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 90nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4610TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4610TRRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 90nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4615PBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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