參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS4410
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
文件大?。?/td> 409K
代理商： IRFS4410
10
www.irf.com
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PDF描述
IRFSL4410 HEXFET Power MOSFET
IRFB59N10 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFS59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFSL59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS4410PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4410TRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFS4410TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4410ZPBF 功能描述:MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 83nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4410ZTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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