參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS351
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五（巴西）直| 10.4AI（四）|的SOT - 186VAR
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
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代理商： IRFS351
IRFB/IRFS/IRFL30N20D
10
www.irf.com
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB30N20D 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關(guān)電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器)
IRFL30N20D 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關(guān)電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器)
IRFS30N20D 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關(guān)電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器)
IRFS41N15DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
IRFS41N15DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS3607PBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3607TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3806PBF 功能描述:MOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS3806TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS38N20D 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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