參數(shù)資料
型號： IRFS33N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.056ohm，身份證\u003d 33A條）
文件頁數(shù)： 6/11頁
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代理商： IRFS33N15D
IRFB/IRFS/IRFSL33N15D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
8.1A
14A
20A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL33N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
IRFB4215 HEXFET Power MOSFET
IRFB4410 HEXFET Power MOSFET
IRFS4410 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4410 HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFS33N15DPBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS33N15DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 33A 56mOhm 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS340 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR
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