參數(shù)資料
型號： IRFS11N50ATRL
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 11A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道|第11A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： IRFS11N50ATRL
IRFS11N50A
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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相關PDF資料
PDF描述
IRFS11N50ATRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 11A I(D) | TO-263AB
IRFS140 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 19.4A I(D) | SOT-186VAR
IRFS141 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19.4A I(D) | SOT-186VAR
IRFS150 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR
IRFS151 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS11N50ATRLP 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS11N50ATRLPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFS11N50ATRR 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS11N50ATRRP 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS11N50ATRRPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
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