參數(shù)資料
型號： IRFR9110PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/10頁
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代理商： IRFR9110PBF
www.irf.com
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PDF描述
IRFu9110PBF HEXFET Power MOSFET
IRFR9110 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
IRFU9110 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
IRFR9220PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRFR9110TF 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFR9110TM 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
IRFR9110TR 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9110TRA 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9110TRL 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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