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參數(shù)資料
| 型號： | IRFR5505PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Ultra Low On-Resistance |
| 中文描述： | 超低導(dǎo)通電阻 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 1407K |
| 代理商： | IRFR5505PBF |
6
www.irf.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFu5505PBF | Ultra Low On-Resistance |
| IRFR9014PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFU9014PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFR9024NPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A ) |
| IRFU9024NPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A ) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR5505TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -18A, 110 mOhm, 21.3 nC Qg, D-Pak |
| IRFR5505TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR5505TRL | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR5505TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR5505TRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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