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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFIZ34G |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 285K |
| 代理商： | IRFIZ34G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ44G | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFIZ44N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=31A) |
| IRFIZ48VPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFIZ48V | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=39A) |
| IRFIZ48 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFIZ34G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ34GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIZ34N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A) |
| IRFIZ34NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
| IRFIZ34NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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