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IRFW34A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB
IRFJ120	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-213AA
IRFJ121	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-213AA
IRFJ122	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-213AA
IRFJ123	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-213AA

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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IRFIZ34E	功能描述:MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFIZ34EPBF	功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIZ34G	功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIZ34G_09	制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIZ34GPBF	功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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IRFIZ34E

功能描述:MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

IRFIZ34EPBF

功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRFIZ34G

功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRFIZ34G_09

制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET

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型號：	IRFIZ34A
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-262AA
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 60V的五（巴西）直\| 30A條（丁）\|對262AA
文件頁數(shù)：	2/6頁
文件大?。?/td>	342K
代理商：	IRFIZ34A

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