參數(shù)資料
型號(hào)： IRFIBC30G
廠商： International Rectifier
英文描述： GT 19C 19#16 PIN RECP BOX
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）\u003d 2.2ohm，身份證\u003d包2.5a）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 169K
代理商： IRFIBC30G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIBE30 Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)
IRFIBE30G N-Channel HEXFET Power MOSFET(800V,2.1A HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFIBF20G Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)
IRFIZ34G HEXFET POWER MOSFET
IRFIZ44G HEXFET POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFIBC30GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBC40 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
IRFIBC40G 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBC40GLC 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIBC40GLCPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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